半導體製程技術 | 竹科管理局常見問答
CVD應用.薄膜.源材料.Si(多晶).SiH4(矽烷).半導體.SiCl2H2(二氯矽烷；DCS).Si(磊晶).SiCl3H(三氯矽烷；TCS).SiCl4(四氯矽烷；Siltet).LPCVD.SiH4,O2.
CVD應用. 薄膜. 源材料. Si (多晶). SiH4 (矽烷). 半導體. SiCl2H2 (二氯矽烷；DCS). Si (磊晶). SiCl3H (三氯矽烷；TCS). SiCl4 (四氯矽烷；Siltet). LPCVD. SiH4, O2.
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製程 | 竹科管理局常見問答
薄膜沉積. 沉積製程可形成半導體元件中的介電(絕緣)和金屬(導電)材料層。取決於製造的材料和結構 ... Read More
晶圓的處理－薄膜 | 竹科管理局常見問答
處理製程. • 氧化. • 化學蒸氣沉積. • 濺鍍. • 擴散. • 離子植入. 蒸發. • 蒸發. • 熱處理 ... 薄膜）+. 2H. 2. • 3SiH. 4. + 4NH. 3. -> Si. 3. N. 4. （氮化矽. 薄膜） + 12H. 2. 薄膜 ... Read More
13新興製造技術 | 竹科管理局常見問答
摘要:半導體製程(單晶成長、晶圓切片、薄膜製作、微影、蝕刻、. 「擴散與離子植入、金屬化及測試、鍵結與封裝). 13-2 微細製造概述. 摘要:產業應用、持續發展與 ... Read More
越薄越好，3D薄膜製程大挑戰：淺談原子層沈積技術 | 竹科管理局常見問答
台灣半導體製造業位居全球重要地位，也是台灣重要的產業發展項目，隨著技術演進，元件尺寸越來越小、結構越來越複雜，傳統薄膜製程技術(PVD, CVD) 漸漸 ... Read More
薄膜 | 竹科管理局常見問答
薄膜[編輯] ... 薄膜材料是指厚度介於單原子到幾毫米間的薄金屬或有機物層。電子半導體功能器件和光學鍍膜是薄膜技術的主要應用。 一個很為人們熟知的表面技術的 ... Read More
半導體製程技術 | 竹科管理局常見問答
複晶矽薄膜則在積體電路中應用極廣，這要歸功. 於其製程溫度較低，耐高溫，與二氧化矽界面特性佳，可靠度好，而且能均勻覆蓋不平坦的. 結構。另一方面，更低溫 ... Read More
PVD CVD薄膜沈積(Thin Film Deposition)www.tool | 竹科管理局常見問答
單晶薄膜的沈積在積體電路製程中特別重要，稱為是『磊晶』 (epitaxy)。相較於晶圓基板，磊晶成長的半導體薄膜的優點主要有：可以在沈積過程中直接摻雜施體或 ... Read More
《半導體製造流程》 | 竹科管理局常見問答
半導體元件製造過程可概分為晶圓處理製程（Wafer Fabrication；簡稱Wafer ... 光刻微影技主要在光感應薄膜，稱之為光阻，而光阻必須符合以下五點要求：. 1. Read More
半導體製程技術 | 竹科管理局常見問答
CVD應用. 薄膜. 源材料. Si (多晶). SiH4 (矽烷). 半導體. SiCl2H2 (二氯矽烷；DCS). Si (磊晶). SiCl3H (三氯矽烷；TCS). SiCl4 (四氯矽烷；Siltet). LPCVD. SiH4, O2. Read More
薄膜成形技術新紀元 | 竹科管理局常見問答
誕生的電晶體半導體產業，尤其現有. 大型積體電路(IC)的薄膜積層製程，. 沒有此項技術在背後支援恐怕 ... 導體磊晶結晶新薄膜成形技術的運用. 範疇。 65. 台灣綜合 ... Read More
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公私廠所製程若為導線架製作，而製造過程中僅為半成品電鍍作業，是否歸類於半導體行業?
【公私廠所製程若為導線架製作，而製造過程中僅為半成品電鍍作業，是否歸類於半導體行業?】正確解答請參考以下回覆:依法規「...