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WAFER四大製程(應該是五製程)黃光區(Photo)蝕刻區(Etch)薄膜區(Thinfin)擴散區(Diffusion)離子植入區(CMP)半導體製程:在半導體製造過程中有幾個比較重要 ...

WAFER四大製程 (應該是五製程) 黃光區(Photo) 蝕刻區(Etch) 薄膜區(Thinfin) 擴散區(Diffusion) 離子植入區(CMP) 半導體製程: 在半導體製造過程中有幾個比較重要的關鍵： A.擴散→oxidation(氧化)，doping(摻雜) B.薄膜→CVD(化學氣相沉積)，PVD(物理氣相沉積) C.微影 D.蝕刻→dry，wet etching E.化學機械研磨→CMP [1][2] 首先，從最簡單的Thermal oxidation(熱氧化)說起， 【1】原理 - 在低壓(0.1~10torr)的高溫氧化爐管(oxidation furnace)中利用高純度的Ｏ2或水蒸氣將Si反應成SiO2 【2】方式 - 乾式(dry)氧化 Si O2 → SiO2 濕式(wet)氧化Si 2H2O → SiO2 2H2 【3】機台 - 有分為水平式→5＂wafer以下使用 與垂直式→6＂wafer以上使用(因為機台太佔地球表面積ㄌ= =|||) 【4】結論 - 氧化擴散主要可以分為乾式的氧氣擴散與濕式的水蒸氣擴散，因為成長同樣厚度之氧化層wet成長氧化層所需時間比dry少，但是就電性來說wet通常用來做介電質，而dry則運用於閘極氧化物居多。　 而最主要的改變半導體電性而能玩出一大堆的花樣就要靠doping(摻雜)了 【1】方式 - 離子佈值(ion implantaion) - 擴散(diffusion) 【2】機台 - ion implanation →implantaion - diffusion →furnace 【3】原理 -

ion implanation

主要是在基板微影完之後，將dopant離子化之後利用電場將它加速至打入基板所需的能量之後，射入Si晶格中改變其電性；其優點在於低溫環境下運作與離子能準確的控制摻雜深度，其較具非等向性。

diffusion

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